SVT085R5NT/S/L5

SVT085R5NT/S/L5 120A、85V N沟道增强型场效应管


SVT085R5NT/S/L5 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士 兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。


该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。


特点


120A，85V，RDS(on)（典型值）=4.5m@VGS=10V


低栅较电荷量


低反向传输电容


开关速度快


提升了 dv/dt 能力

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