CR7N65FA9R 库存订货

cs7n65fa9r是采用自对准平面工艺制备的硅N沟道增强型vdmosfet，降低了导通损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可应用于各种功率开关电路中，使系统小型化、高效率。包装形式为TO-220F，符合RoHS标准。

特征：

快速切换
低导通电阻（Rdson≤1.4Ω）
低门电荷（典型数据：24nC)
低反向转移电容(典型值：5.5pF)
**单脉冲雪崩能量试验

应用：

适配器和充电器的电源开关电路

CR7N65FA9R/TND7N65 华晶代替

CS7N65F A9R, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220F, which accords with the RoHS standard.

Features：

Fast Switching
Low ON Resistance(Rdson≤1.4Ω)
Low Gate Charge (Typical Data:24nC)
Low Reverse transfer capacitances(Typical:5.5pF)
** Single Pulse avalanche energy Test

Applications：

Power switch circuit of adaptor and charger

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