CS7N65A4R/TND7N65 华晶代替详细内容
cs7n65a4r是一种硅N沟道增强型vdmosfet,采用自对准平面工艺制备而成,降低了导通损耗,改善了开关性能,提高了雪崩能量。该晶体管可应用于各种功率开关电路中,使系统小型化、高效率。包装形式为TO-251,符合RoHS标准。
特征:
快速切换
低导通电阻(Rdson≤1.4Ω)
低门电荷(典型数据:24nC)
低反向转移电容(典型值:5.5pF)
**单脉冲雪崩能量试验
应用:
适配器和充电器的电源开关电路
CS7N65A4R/TND7N65 华晶代替
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