CS7N65A3R/TND7N65 华晶代替

cs7n65a3r是一种硅N沟道增强型vdmosfet，采用自对准平面工艺制备而成，降低了导通损耗，改善了性能，提高了雪崩能量。该晶体管可应用于各种功率电路中，使系统小型化、高效率。包装形式为TO-251，符合RoHS标准。


特征：


快速切换
低导通电阻（Rdson≤1.4Ω）
低门电荷（典型数据：24nC)
低反向转移电容(典型值：5.5pF)
**单脉冲雪崩能量试验


应用：


适配器和充电器的电源电路


CS7N65A3/TND7N65 华晶代替


充电器/适配器应用包含“原边”和“副边同步整流”两个功能部分


● 原边：


1）普通充电器:  使用高压DMOS
2）快速充电器:  18W以下主以平面MOS为主，18W以上采用SJ MOS


● 同步整流部分：采用中低压MOS，**选用SGT MOS


充电器/适配器副边采样功能部分：采用基准电源电路


CS7N65A3R, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-251, which accords with the RoHS standard.


Features：


Fast Switching
Low ON Resistance(Rdson≤1.4Ω)
Low Gate Charge (Typical Data:24nC)
Low Reverse transfer capacitances(Typical:5.5pF)
** Single Pulse avalanche energy Test


Applications：

Power switch circuit of adaptor and charger